《模擬集成電路設計精粹》作者首先對MOST和BJT兩種器件模型進行了分析和比較,然后以此為兩條線索,分別介紹了相應的基本單元電路和各類放大器的詳細分析,隨后的章節分別研究噪聲、失真、濾波器、ADC/DAC和振蕩器電路,每一章都結合MOST和BJT兩種類型電路進行分析比較。本書一方面側重于基礎知識,對模擬和混合信號集成電路中的許多重要概念以直觀形象的語言進行了描述。另一方面又側重介紹與現代集成電路工藝相關的最新電路的研究方向和熱點。
第1章 MOST與雙極型晶體管的比較
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
第2章 放大器、源極跟隨器與共源共柵放大器
運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中,通常結合反饋網絡共同組成某種功能模塊。由于早期應用于模擬計算機中,用以實現數學運算,故得名“運算放大器”,此名稱一直延續至今。運放是一個從功能的角度命名的電路單元,可以由分立的器件實現,也可以實現在半導體芯片當中。隨著半導體技術的發展,如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現今運放的種類繁多,廣泛應用于幾乎所有的行業當中。
第3章 差分電壓與電流放大器
第4章 基本晶體管級的噪聲性能
第5章 運算放大器的穩定性
第6章 運算放大器的系統性設計
第7章 重要的運算放大器結構
第8章 全差分放大器
第9章 多級運算放大器的設計
第10章 電流輸入運算放大器
第11章 軌到軌輸入與輸出放大器
第12章 AB類放大器與驅動放大器
第13章 反饋:電壓放大器與跨導放大器
第14章 反饋:跨阻放大器與電流放大器
第15章 隨機性與系統性的失調與CMRR
第16章 帶隙與電流基準電路
第17章 開關電容濾波器
第18章 基本晶體管電路的失真
第19章 時序濾波器
第20章 CMOS ADC與DAC原理
第21章 低功耗∑-AAD轉換器
第22章 晶體振蕩器設計
第23章 低噪聲放大器
第24章 模一數混合集成電路的耦合效應
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推薦帖子 最新更新時間:2021-09-10 11:37
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